Rof Intensity Modulator tyndfilm lithium niobat modulator 40G TFLN modulator

Kort beskrivelse:

Tyndfilms-lithiumniobat på isolator (LNOI)-materialet arver de fremragende elektrooptiske egenskaber fra bulk-lithiumniobatmaterialer og giver en ny løsning til højhastigheds-elektrooptiske modulatorchips, der kan integreres, miniaturiseres og have høj modulationseffektivitet. Vi har udviklet en bredbånds-tyndfilms-LiNbO3 elektrooptisk modulator med lav halvbølgespænding baseret på LNOI-materiale. Vores produkt har fremragende egenskaber med høj stabilitet, lavt indsættelsestab og lille størrelse, hvilket er mere fordelagtigt end traditionelle bulk-lithiumniobatmodulatorer og har brede anvendelsesmuligheder inden for højhastighedsoptisk kommunikation og mikrobølgefotonik.

Send e-mail til os DOWNLOAD

Produktdetaljer

Rofea Optoelectronics tilbyder optiske og fotoniske elektrooptiske modulatorprodukter

Produktmærker

Funktion

Høj båndbredde, lavt tab, lav drivspænding, lille størrelse, høj stabilitet

Felt

Højhastighedsoptisk kommunikation, mikrobølgefotonik, radar osv.

Rof EOM Intensitetsmodulator 20G tyndfilms lithium niobatmodulator TFLN-modulator

Parameter

Pparameter	Sym	indikator	Enhed
arbejdsbølgelængde	λ	1530~1565	nm
Optisk indsættelsestab	IL	≤ 5,5 (Typisk 4,5)	dB
udryddelsesforhold	ER	≥ 25	dB
Optisk returtab	RL	≤ -30	dB
Maksimal optisk indgangseffekt	P_in	≤ 200	mW
Elektrooptisk modulationsbåndbredde (3dB, fra 2GHz)	BW	≥ 40	GHz
RF halvbølgespænding @ 50 kHz	Vπ	≤ 3,5	V
RF-refleksion	S₁₁	≤ -10	dB
Maksimal RF-indgangseffekt	S_in	≤ 25	dBm
Termisk bias halvbølgeeffekt	Pπ	50	mW
Termisk biasspænding	U_varmeapparat	< 8	V
Driftstemperatur	T_O	-55~85	℃
Opbevaringstemperatur	T_S	-55~85	℃

Ordreoplysninger

Sym	Dbeskrivelse	Valgfri parameter
λ	arbejdsbølgelængde	C (~1550 nm)，O (~1310 nm)
BW	3dB båndbredde	40 (40 GHz)
PD	Overvågning af PD	1 (integreret), 0 (ikke integreret)
IF	Input fiberoptik	P (polariseringsbevarende fiber)
OF	Udgang fiberoptisk	P (polarisationsbevarende fiber), S (standard single-mode fiber)
S	Halvbølgespænding	S-standard

Pakkestørrelse og pindefinition

Pi definitionen:

Ssøm	Ffunktion
RF	RF-indgang, 1,85 mm hunstik
A	Termostatisk biaselektrode (positiv og negativ)
B	Termostatisk biaselektrode
C	Backup termisk justering biaselektrode
D	Backup termisk justering biaselektrode

Tidligere: Rof 2000nm højhastigheds 2um elektrooptisk fasemodulator

Næste: ROF Si justerbar forstærkningsfotodetektor Siliciumfotodetektor

Rofea Optoelectronics tilbyder en produktlinje af kommercielle elektrooptiske modulatorer, fasemodulatorer, intensitetsmodulatorer, fotodetektorer, laserlyskilder, DFB-lasere, optiske forstærkere, EDFA, SLD-laser, QPSK-modulation, pulslaser, lysdetektor, balanceret fotodetektor, laserdriver, fiberoptisk forstærker, optisk effektmåler, bredbåndslaser, justerbar laser, optisk detektor, laserdiodedriver og fiberforstærker. Vi tilbyder også mange specifikke modulatorer til tilpasning, såsom 1*4 array-fasemodulatorer, ultra-lav Vpi og ultra-høj ekstinktionsforholdsmodulatorer, primært anvendt på universiteter og institutter.
Håber vores produkter vil være nyttige for dig og din forskning.

Relaterede produkter