Rof Elektrooptisk modulator 780nm LiNbO3 Intensitetsmodulator 10G

Kort beskrivelse:

LiNbO3-intensitetsmodulatoren anvendes i vid udstrækning i højhastighedsoptiske kommunikationssystemer, laserregistrering og ROF-systemer på grund af sin gode elektrooptiske ydeevne. R-AM-serien, der er baseret på MZ push-pull-struktur og X-cut-design, har stabile fysiske og kemiske egenskaber, som kan anvendes i både laboratorieforsøg og industrielle systemer.

Send e-mail til os DOWNLOAD

Produktdetaljer

Rofea Optoelectronics tilbyder optiske og fotoniske elektrooptiske modulatorprodukter

Produktmærker

Funktion

* Lavt indsættelsestab
* Høj båndbredde
* Lav halvbølgespænding
* Tilpasningsmulighed

Elektrooptisk modulator Elektrooptisk modulator LiNbO3 intensitetsmodulator MZM-modulator Mach-Zehnder-modulator LiNbO3-modulator Lithiumniobatmodulator

Anvendelse

⚫ ROF-systemer
⚫ Kvantenøglefordeling
⚫ Lasersensorsystemer
⚫ Sidebåndsmodulation

Rof-AM-serien	Rof-AM-07	Rof-AM-08	Rof-AM-10	Rof-AM-13	Rof-AM-15
Driftsbølgelængde	780nm	850nm	1064nm	1310nm	1550nm
Båndbredde	10 GHz	10 GHz	10/20GHz	2,5 GHz	50GHz	10 GHz	20 GHz	40 GHz
Indsættelsestab	<5dB	<5dB	5dB	5dB	4dB
Ekstinktionsforhold @DC	＞20dB	＞20dB	＞20dB	＞20dB	＞20dB
V_Π@RF (1 kHz)	<3V	<3V	<4V	<3,5V	6V	<5V
V_Π@Bias	3,5V	3,5V	<5V	<5V	<8V	<7V

Bestillingsoplysninger

Rof

XXG

Type: AM --- Intensitetsmodulator

Bølgelængde:

07---780nm
08---850nm

10---1060nm

13---1310nm

15---1550nm

Båndbredde:

10 GHz

20 GHz

40 GHz

50 GHz

Overvåg PD:

PD---Med PD
00 --- Ingen PD

Ind-ud fibertype: PP---PM/PM

Optisk stik: FA---FC/APCFP---FC/PC

SP---Tilpasning

R-AM-07-10G

Bølgelængde 710nm 10GHz Intensitetsmodulator

Parameter				Symbol		Min.	Typisk	Maks.	Enhed
Optiske parametre
Driftsbølgelængde				l		760	780	800	nm
Indsætningstab				IL			4,5	5	dB
Optisk returtab				ORL				-45	dB
Kontaktudslettelsesforhold @DC				ER@DC		20	23		dB
Optisk fiber	Inputhavn					PM780fiber (125/250 μm)
	udgangsport					PM780fiber (125/250 μm)
Optisk fibergrænseflade						FC/PC, FC/APC eller tilpasning
Elektriske parametre
Driftsbåndbredde(-3dB）					S₂₁	10	12		GHz
Halvbølgespænding Vpi		RF			@1KHz		2.5	3	V
		Bias			@1KHz		3	4	V
Elektrisk returtab					S₁₁		-12	-10	dB
Indgangsimpedans			RF		Z_RF	50			W
			Bias		Z_FORVAND	1M			W
Elektrisk grænseflade						SMA(f)

Grænsebetingelser

Parameter	Symbol	Enhed	Min.	Typisk	Maks.
Optisk indgangseffekt	P_i,Max	dBm			20
RF-indgangseffekt		dBm			28
biasspænding	Vbias	V	-15		15
Driftstemperatur	Top	℃	-10		60
Opbevaringstemperatur	Test	℃	-40		85
Fugtighed	RH	%	5		90

S21-kurve

&S11-kurve

S21 og s11 kurver

Mekanisk diagram

HAVN	Symbol	Note
I	Optisk indgangsport	PM-fiber (125 μm/250 μm)
Ud	Optisk udgangsport	PM- og SMF-mulighed
RF	RF-indgangsport	SMA(f)
Bias	Bias-kontrolport	1,2 Bias, 34-N/C

Tidligere: Rof Elektrooptisk modulator 1550nm LiNbO3 Intensitetsmodulator 50G

Næste: Rof Elektrooptisk Modulator 1064nm Eo-modulator LiNbO3 fasemodulator 2G

Rofea Optoelectronics tilbyder en produktlinje af kommercielle elektrooptiske modulatorer, fasemodulatorer, intensitetsmodulatorer, fotodetektorer, laserlyskilder, DFB-lasere, optiske forstærkere, EDFA, SLD-laser, QPSK-modulation, pulslaser, lysdetektor, balanceret fotodetektor, laserdriver, fiberoptisk forstærker, optisk effektmåler, bredbåndslaser, justerbar laser, optisk detektor, laserdiodedriver og fiberforstærker. Vi tilbyder også mange specifikke modulatorer til tilpasning, såsom 1*4 array-fasemodulatorer, ultra-lav Vpi og ultra-høj ekstinktionsforholdsmodulatorer, primært anvendt på universiteter og institutter.
Håber vores produkter vil være nyttige for dig og din forskning.