Rof Elektro-optisk modulator 780nm LiNbO3 Intensity Modulator 10G

Kort beskrivelse:

LiNbO3-intensitetsmodulatoren er meget udbredt i højhastigheds optiske kommunikationssystemer, lasersensorer og ROF-systemer på grund af god elektro-optisk ydeevne. R-AM-serien baseret på MZ push-pull struktur og X-cut design, har stabile fysiske og kemiske egenskaber, som kan anvendes både i laboratorieforsøg og industrielle systemer.

Send e-mail til os DOWNLOAD

Produktdetaljer

Rofea Optoelectronics tilbyder produkter til optiske og fotonik Elektro-optiske modulatorer

Produkt Tags

Feature

* Lavt indføringstab
* Høj båndbredde
* Lav halvbølgespænding
* Mulighed for tilpasning

Elektro-optisk modulator Elektro-optisk modulator LiNbO3 intensitetsmodulator MZM Modulator Mach-Zehnder Modulator LiNbO3 modulator Lithium niobat modulator

Anvendelse

⚫ ROF-systemer
⚫ Kvantenøglefordeling
⚫ Lasersensorsystemer
⚫ Sidebåndsmodulation

Rof-AM-serien	Rof-AM-07	Rof-AM-08	Rof-AM-10	Rof-AM-13	Rof-AM-15
Driftsbølgelængde	780 nm	850 nm	1064nm	1310nm	1550nm
Båndbredde	10 GHz	10 GHz	10/20GHz	2,5 GHz	50GHz	10 GHz	20GHz	40 GHz
Indføringstab	＜5dB	＜5dB	＜5dB	＜5dB	＜4dB
Ekstinktionsforhold @DC	＞20dB	＞20dB	＞20dB	＞20dB	＞20dB
V_Π@RF (1KHz)	＜3V	＜3V	＜4V	<3,5V	＜6V	<5V
V_Π@bias	＜3.5V	＜3.5V	＜5V	<5V	<8V	<7V

Bestillingsinformation

Rof

XXG

Type: AM --- Intensitetsmodulator

Bølgelængde:

07---780nm
08---850nm

10---1060nm

13---1310nm

15---1550nm

Båndbredde:

10 GHz

20GHz

40 GHz

50 GHz

Overvåg PD:

PD---Med PD
00 --- Ingen PD

In-Out Fiber type：PP---PM/PM

Optisk stik: FA---FC/APCFP---FC/PC

SP---Tilpasning

R-AM-07-10G

Bølgelængde 710nm 10GHz Intensitetsmodulator

Parameter				Symbol		Min	Typ	Maks	Enhed
Optiske parametre
Driftsbølgelængde				l		760	780	800	nm
Tab af indføring				IL			4.5	5	dB
Optisk returtab				ORL				-45	dB
Switch ekstinktionsforhold @DC				ER@DC		20	23		dB
Optisk fiber	Inputhavn					PM780fiber (125/250 μm)
	udgangsport					PM780fiber (125/250 μm)
Optisk fiber interface						FC/PC, FC/APC eller tilpasning
Elektriske parametre
Driftsbåndbredde(-3dB)					S₂₁	10	12		GHz
Halvbølgespænding Vpi		RF			@1KHz		2.5	3	V
		Bias			@1KHz		3	4	V
Elektrisk returtab					S₁₁		-12	-10	dB
Indgangsimpedans			RF		Z_RF	50			W
			Bias		Z_BIAS	1M			W
Elektrisk grænseflade						SMA(f)

Grænsebetingelser

Parameter	Symbol	Enhed	Min	Typ	Maks
Optisk indgangseffekt	P_{i, max}	dBm			20
Input RF-effekt		dBm			28
bias spænding	Vbias	V	-15		15
Driftstemperatur	Top	℃	-10		60
Opbevaringstemperatur	Tst	℃	-40		85
Fugtighed	RH	%	5		90

S21 Kurve

&S11 Kurve

S21&s11 kurver

Mekanisk diagram

HAVN	Symbol	Note
I	Optisk indgangsport	PM Fiber (125μm/250μm)
Ud	Optisk udgangsport	PM og SMF mulighed
RF	RF-indgangsport	SMA(f)
Bias	Bias kontrol port	1,2 Bias, 34-N/C

Tidligere: Rof Elektro-optisk modulator 1550nm LiNbO3 Intensity Modulator 50G

Næste: Rof Elektro-optisk modulator 1064nm Eo modulator LiNbO3 fase modulator 2G

Rofea Optoelectronics tilbyder en produktlinje af kommercielle elektrooptiske modulatorer, fasemodulatorer, intensitetsmodulatorer, fotodetektorer, laserlyskilder, DFB-lasere, optiske forstærkere, EDFA, SLD-laser, QPSK-modulation, pulslaser, lysdetektor, balanceret fotodetektor, laserdriver , Fiberoptisk forstærker, Optisk effektmåler, Bredbåndslaser, Afstembar laser, Optisk detektor, Laserdiodedriver, Fiberforstærker. Vi leverer også mange særlige modulatorer til tilpasning, såsom 1*4 array fase modulatorer, ultra-lav Vpi og ultra-høj ekstinktionsforhold modulatorer, primært brugt på universiteter og institutter.
Håber vores produkter vil være nyttige for dig og din forskning.