Rof Elektrooptisk modulator 1550nm AM-seriens intensitetsmodulator 10G mach-zehnder-modulator

Kort beskrivelse:

LiNbO3-intensitetsmodulatoren (Mach-Zehnder-modulator) anvendes i vid udstrækning i højhastighedsoptiske kommunikationssystemer, laserregistrering og ROF-systemer på grund af sin gode elektrooptiske ydeevne. R-AM-serien, der er baseret på MZ push-pull-struktur og X-cut-design, har stabile fysiske og kemiske egenskaber, som kan anvendes i både laboratorieforsøg og industrielle systemer.

Send e-mail til os DOWNLOAD

Produktdetaljer

Rofea Optoelectronics tilbyder optiske og fotoniske elektrooptiske modulatorprodukter

Produktmærker

Funktion

* Lavt indsættelsestab
* Høj båndbredde
* Lav halvbølgespænding
* Tilpasningsmulighed

Elektrooptisk modulator Elektrooptisk modulator LiNbO3 intensitetsmodulator MZM-modulator Mach-Zehnder-modulator LiNbO3-modulator Lithiumniobatmodulator

Rof-AM-serien	Rof-AM-07	Rof-AM-08	Rof-AM-10	Rof-AM-13	Rof-AM-15
Driftbølgelængde	780nm	850nm	1064nm	1310nm	1550nm
Båndbredde	10 GHz	10 GHz	10/20 GHz	2,5 GHz	50GHz	10 GHz	20GHz	40GHz
Indsættelsestab	<5dB	<5dB	5dB	5dB	4dB
Ekstinktionsforhold @DC	＞20dB	＞20dB	＞20dB	＞20dB	＞20dB
V_Π@RF (1 kHz)	<3V	<3V	<4V	<3,5V	6V	<5V
V_Π@Bias	3,5V	3,5V	<5V	<5V	<8V	<7V

Bestillingsoplysninger

Rof

XXG

Type：ER---IntensitetModulator

Bølgelængde：07---780nm
08---850nm

10---1060nm

13---1310nm

15---1550nm

Båndbredde：10GHz

20GHz

40GHz

50GHz

Overvåg PD:PD---Med PD
00 --- Ingen PD

Ind-ud fibertype：PP---PM/PM

Optisk stik：FA---FC/APC

FP---FC/PC

SP---Ctilpasning

R-AM-15-10G

Bølgelængde 1550nm 10GHz Intensitetsmodulator

Parameter				Symbol		Min.	Typisk	Maks.	Enhed
Optiske parametre
Driftbølgelængde				l		1530	1550	1565	nm
Indsætningstab				IL			4	5	dB
Optisk returtab				ORL				-45	dB
Kontaktudslettelsesforhold @DC				ER@DC		20	23	45	dB
Dynamisk ekstinktionsforhold				DER			13		dB
Optisk fiber	Inputhavn					Panda PM Fujikura SM
	produktionhavn					Panda PM Fujikura SM
Optisk fibergrænseflade						FC/PC, FC/APC eller brugerspecificering
Elektriske parametre
Driftbåndbredde(-3dB）					S₂₁	10	12		GHz
Halvbølgespænding Vpi		RF			@50KHz		4,5	5	V
		Bias			@Bias		6	7	V
Elektriskalafkasttab					S₁₁		-12	-10	dB
Indgangsimpedans			RF		Z_RF	50			W
			Bias		Z_FORVAND	1M			W
Elektrisk grænseflade						SMA(f)

Grænsebetingelser

Parameter	Symbol	Enhed	Min.	Typisk	Maks.
Optisk indgangseffekt	P_i,Max	dBm			20
IRF-indgangsstrøm		dBm			28
biasspænding	Vbias	V	-15		15
Drifttemperatur	Top	℃	-10		60
Opbevaringstemperatur	Test	℃	-40		85
Fugtighed	RH	%	5		90

S21-kurve

&S11-kurve

S21 og s11 kurver

Mekanisk diagram

HAVN	Symbol	Note
I	Optisk indgangsport	PM-fiber (125 μm/250 μm)
Ud	Optisk udgangsport	PM- og SMF-mulighed
RF	RF-indgangsport	SMA(f)
Bias	Bias-kontrolport	1,2 Bias, 34-N/C

Tidligere: Rof Elektrooptisk modulator Bølgelængde 1064nm Intensitetsmodulator 2,5G

Næste: Rof Elektrooptisk Modulator Bølgelængde 1064nm Intensitetsmodulator 10GHz

Rofea Optoelectronics tilbyder en produktlinje af kommercielle elektrooptiske modulatorer, fasemodulatorer, intensitetsmodulatorer, fotodetektorer, laserlyskilder, DFB-lasere, optiske forstærkere, EDFA, SLD-laser, QPSK-modulation, pulslaser, lysdetektor, balanceret fotodetektor, laserdriver, fiberoptisk forstærker, optisk effektmåler, bredbåndslaser, justerbar laser, optisk detektor, laserdiodedriver og fiberforstærker. Vi tilbyder også mange specifikke modulatorer til tilpasning, såsom 1*4 array-fasemodulatorer, ultra-lav Vpi og ultra-høj ekstinktionsforholdsmodulatorer, primært anvendt på universiteter og institutter.
Håber vores produkter vil være nyttige for dig og din forskning.

Relaterede produkter

Rof Intensity Modulator tyndfilm lithium niobat modulator 20G TFLN modulator